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GEM P型同軸高純鍺(HPGe)輻射探測器
  • 產(chǎn)品型號:
  • 更新時間:2025-08-28
簡要描述:

ORTECGEM輻射探測器是一款P型同軸HPGe探測器,適用于~40keV及以上典型能量范圍的能譜測量

產(chǎn)品詳情
HPGe Radiation Detector Energy Range - GEM Radiation Detector
ORTEC GEM輻射探測器是一款P型同軸HPGe探測器,適用于~40 keV及以上典型能量范圍的γ能譜測量。

GEM系列探測器特征:
  • 效率達150%,還可應要求提高。
  • 出色的能量分辨率和峰值對稱性。
  • SMART偏壓選件。
  • 惡劣環(huán)境(-HE)選件。
  • 低本底碳纖維端蓋選件。
  • 外加前置放大器選件適用于超高計數(shù)率應用。
  • 廣泛的配置靈活性,PopTop、Streamline和機械冷卻選項。
  • 資料 +

    • Download link GEM配置指南
    • Download link GEM配置指南(A4)
    • Download link 半導體探測器概述
    • Download link 半導體探測器的物理學綜述
  • 可選附件 +


    集成低溫冷卻系統(tǒng)選件(-ICS、-ICS-E)
    集成低溫冷卻系統(tǒng)(ICS)低溫恒溫器配備有低溫冷卻器,不受回溫循環(huán)的影響。與使用標準型低溫恒溫器探測器的典型三天損失不同,ICS可以立即重新冷卻,限度地減少因臨時回溫而損失的任何時間。ICS可配備內(nèi)部前置放大器(-ICS)或外部前置放大器(-ICS-E)。

    集成低溫冷卻低本底系統(tǒng)(-ICS-LB)
    低本底探測器配有內(nèi)置前置放大器、高純鋁端蓋、高純鋁窗、高純鋁內(nèi)杯,以及用于ICS集成低溫冷卻系統(tǒng)的低本底銅安裝座。較低本底的材料可在特定計數(shù)時間內(nèi)降低最小可探測活度(MDA),這為在低本底應用中增加樣品通量提供了另一種方法。

    SMART-1選件 (-SMP)
    SMART-1選件用于監(jiān)控和報告重要的系統(tǒng)功能,還可保存碼并在稍后報告該碼。它包括高壓,因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅固的ABS模塑塑料外殼,并通過模塑應變消除密封電纜牢牢地固定在探測器端蓋上。這可避免探測器因水分泄漏到高壓連接器中而受到嚴重損壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置,不會干擾屏蔽體或其他硬件安裝。

    超高計數(shù)率前置放大器選件(-PL)
    超高計數(shù)率前置放大器(晶體管復位前置放大器)可在1 MeV下處理高達1,000,000個計數(shù)/秒的輸入計數(shù)率,并具有無反饋電阻的額外優(yōu)勢。

    惡劣環(huán)境選件(-HE)
    惡劣環(huán)境選件是一個堅固的碳纖維端蓋,配有密封的電子設備外殼,并帶有可更換的干燥劑包,用以確保電子設備保持100%干燥并指示何時需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設計中的GEM系列探測器可配備此選件。

    遠端前置放大器選件(-HJ)
    此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外,并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移除。對于低本底應用,此選件消除了可能增加本底的前置放大器或高壓濾波器組件。

    低本底碳纖維端蓋選件(-RB、-LB-C和-XLB-C)
    低本底碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅固,產(chǎn)生的本底少,不被腐蝕,并且可以檢測低于10 keV的能量。這種較低的本底材料可在特定計數(shù)時間內(nèi)降低最小可探測活度(MDA),這為在低本底計數(shù)應用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的較低Z可提供低能量窗口,而不會產(chǎn)生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。

  • 訂購信息 +


    請參閱GEM P型同軸HPGe輻射探測器配置指南以配置探測器。
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