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高純鍺（HPGe）輻射探測(cè)器的分類
ORTEC提供各種HPGe輻射探測(cè)器解決方案，涵蓋了幾百電子伏特（eV）范圍內(nèi)的X射線能量以及10 MeV及以上范圍內(nèi)的伽馬射線能量。這些探測(cè)器使用P型和N型的高純鍺（HPGe）制造而成。這兩類探測(cè)器均使用液氮或機(jī)械冷卻器進(jìn)行低溫冷卻。
如何為您的應(yīng)用選擇合適的HPGe輻射探測(cè)器
為您的特定應(yīng)用選擇正確的探測(cè)器需要考慮許多標(biāo)準(zhǔn)。特定測(cè)量所需的探測(cè)器不能通過(guò)單個(gè)表格或圖表確定。上面的能量范圍圖表和下面的關(guān)鍵屬性表應(yīng)在選擇探測(cè)器時(shí)使用。您可以單擊下表中的探測(cè)器類型鏈接，以獲取有關(guān)該特定探測(cè)器的更多詳細(xì)信息。
ORTEC還有幾種應(yīng)用特定的探測(cè)器，并且具備設(shè)計(jì)和制造專用探測(cè)器的能力。選擇以下鏈接了解更多詳情。
- 特定應(yīng)用的輻射探測(cè)器
- 特殊探測(cè)器
| FWHM分辨率（以keV為單位）@ 指定能量 | |||||
| 探測(cè)器系列 | 典型計(jì)數(shù) | 相對(duì)效率 | 5.9 keV | 122 keV | 1332 keV |
| GEM | 點(diǎn)源 | 10-150 | 不適用 | 0.80-1.30 | 1.75-2.30 |
| Profile C | 點(diǎn)源 | 20-175 | 0.73-1.23 | 0.85-1.30 | 1.80-2.30 |
| Profile M | 點(diǎn)源 | 20-175 | 不適用 | 0.88-1.30 | 1.80-2.20 |
| Profile S | 點(diǎn)源 | 7-65 | 0.35-0.50 | 0.65-0.70 | 1.80-1.90 |
| Profile SP | 點(diǎn)源 | 7-50 | 0.30-0.43 | 0.59-0.63 | 1.80-1.90 |
| Profile F | 點(diǎn)源 | 7-60 | 不適用 | 0.65-0.85 | 1.80-2.10 |
| GMX | 點(diǎn)源 | 10-100 | 0.60-1.20 | 不適用 | 1.80-2.5 |
| GLP | 點(diǎn)源 | 不適用 | 0.17-0.39 | 0.48-0.60 | 不適用 |
| GWL | 小體積源 | 90-450毫升 | 不適用 | 1.20-1.40 | 2.10-2.30 |
| 應(yīng)用 | 最合適的探測(cè)器 |
| 同步輻射研究；軟X射線研究 | GLP |
| 具有復(fù)雜譜的大型環(huán)境樣品 | GEM、GEM-F、GEM-M、GEM-C、GEM-S（推薦低本底） |
| 過(guò)濾介質(zhì)、盤狀或瓶狀的環(huán)境樣品 | GEM-F、GEM-C、GEM-S、GEM、GMX |
| 小型環(huán)境樣品 | GWL（推薦低本底） |
| 高等級(jí)裂變材料/安全保障 | SGD、SGD-GEM |
| 中子活化分析 | GMX（推薦附加選件） |
| 事故后監(jiān)測(cè) | GEM（推薦附加選件） |
| 康普頓抑制的伽馬能譜測(cè)量 | GMX |
| 海上或空中巡查 | Micro-trans-SPEC、trans-SPEC-DX-100T、IDM-200-V |
| 肺部監(jiān)測(cè) | GEM-S、錒系元素-85 |
| 測(cè)量射線束或近快速中子場(chǎng) | GMX（推薦使用原位中子損傷退火的專用內(nèi)部加熱器） |
| 廢物分析 | Micro-trans-SPEC、trans-SPEC-DX-100T、GEM、GMX、GEM-C、GEM-S、IDM-200-V |
| 貨運(yùn)/邊境安全 | Micro-Detective、Detective-EX、Detective-DX、Detective-200、IDM-200-P、IDM-200-V |
| 原位環(huán)境譜分析 | Micro-trans-SPEC、trans-SPEC-DX-100T、GEM、GMX、GEM-C、GEM-S、IDM-200-V |
